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東莞市源林電子科技有限公司
  • 經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)加工
  • 地址:廣東省東莞市長(zhǎng)安鎮(zhèn)烏沙興發(fā)北路5號(hào)3號(hào)樓
  • 主營(yíng):壓敏電阻,熱敏電阻,溫度傳感器
業(yè)務(wù)熱線:134 2311 8663
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    壓敏電阻采購(gòu),就選源林電子,更專業(yè)

    合理的配方和工藝是控制材料的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu),獲取優(yōu)良的宏觀物理性能的關(guān)鍵。而ZnO壓敏陶瓷實(shí)驗(yàn)配方的設(shè)計(jì)是晶粒能否低壓化的關(guān)鍵技術(shù)之一,各種元素的添加和量的控制直接影響材料的顯微結(jié)構(gòu)和晶界特性,進(jìn)而決定壓敏性能。ZnO本身的電性質(zhì)對(duì)本征缺陷,尤其是對(duì)氧空位和鋅填隙比較敏感,摻雜在壓敏特性的形成過程中,影響燒結(jié)時(shí)晶粒的生長(zhǎng)、液相在冷卻時(shí)的去潤(rùn)濕作用以及陶瓷的電子缺陷態(tài)。到目前為止,人們對(duì)低壓化及摻雜改性方面己經(jīng)作了很多研究工作,得到了許多有價(jià)值的結(jié)果,如Co、Mn

    、Sb等可改善非線性指數(shù),Bi、Pr、Ba、Sr、Pb、U等可使ZnO晶粒絕緣和提供所需元素(O2、Co、Mn、Zn等)到晶界,Co、玻璃料、Ag、B、Ni、Cr等的添加可改善穩(wěn)定性,而A1、Ga、F、Cr等可改善大電流非線性指數(shù)(形成ZnO晶粒中的施主),Sb及Si可抑制晶粒生長(zhǎng),Be、Ti、Sn則可促進(jìn)晶粒生長(zhǎng)。

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    壓敏電壓U1mA

    壓敏電阻的電流為1mA時(shí)所對(duì)應(yīng)的電壓作為I隨U迅速上升的電壓大小的標(biāo)準(zhǔn),該電壓用U1mA表示,稱為壓敏電壓。壓敏電壓是ZnO壓敏電阻器伏安曲線中預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)轉(zhuǎn)折點(diǎn)的一個(gè)參數(shù),一般情況下是一般情況下是1mA(Φ5 產(chǎn)品為0.1mA)直流電流通過時(shí),產(chǎn)品的兩端的電壓值,其偏差為±0.1%。

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